半导体技术正在进入立体堆叠时代，CPU处理器、DRAM内存、GPU显存、NAND闪存都先后开始向3D方向发展，其中三星的3D V-NAND立体闪存已经进化到了第二代，并在日前发布了首款面向消费级市场的立体闪存固态硬盘850 Pro。
由于还是2.5寸的SATA 6Gbps规格，性能上已经没有太大作为，不过三星宣称，V-NAND立体闪存在极大提升容量密度的同时，使用寿命也大大增加，最高可达2D平面闪存的10倍，但奇怪的是，850 Pro标称的最大数据写入量只有150TB，相当于840 Pro的两倍而已。
真有这么牛？AnandTech近日对此进行了专门的深入考察。
首先是和固态硬盘耐用性相关的几个概念：
编程/擦写循环(P/E Cycle)：闪存寿命的关键指标，耗尽之后就没法用了，根据闪存颗粒、工艺不同而不同，一般来说SLC>MLC>TLC、工艺越先进越少。
损耗均衡技术(WLC)：S.M.A.R.T.属性中的一个参数，初始值100，随着设备的使用而降低，最后变为0，伺候仍可继续使用很长一段时间(JEDEC规定能在一年内保持数据)，但可靠性无法保证。
写入放大系数(WAF)：闪存写入量与主控写入量之比，越小越好。
【P/E次数计算】
为了计算850 Pro 3D闪存的P/E，向固态硬盘写入队列深度为1的128KB持续数据，记录每次测试后的S.M.A.R.T. WLC数值和写入量，重复十几次就能推算出总的P/E。
结果发现，经过60次P/E之后，WLC数值就会减少1，因此总寿命是大约6000 P/E，相当于现在2D MLC闪存的大约两倍。
那，10倍在哪里？
1、三星撒谎了，根本没有10倍。
2、三星在850 Pro上用的是质量较低的3D闪存，更高级的留给企业级产品。
3、三星故意限制了850 Pro的寿命，好让企业用户多花钱去买高级产品。
【数据写入量计算】
不管是哪样，现在可以计算出850 Pro的终身写入量了：
假如每天主控写入100GB，写入放大系数为3x，那么即便是128GB型号也能用7年之久，而这种写入已经大大超出普通用户的日常操作。
如果是每天主控写入20GB，写入放大系数1.5x，1TB型号就能用280多年！
当然啦，150TB的限制只考虑了低放大系数的持续数据，是一种理想情况，高放大系数的随机数据坚持不了那么多，但是三星表示，设置这个门槛，只是为了不让850 Pro用在写入密集型的企业环境中而已，普通用户根本不用担心。
【写入放大系数计算】
刚才是最好的局面，现在来看最差的，改用队列深度32的4KB随机数据进行反复写入。以128GB型号为例，此时的一个P/E相当于闪存写入129GB。
实际得到的写入放大系数约为11x，对如今的消费级固态硬盘来说属于正常范围，其实一般家庭用户那里基本都不会超过2x。
此时，128GB型号可最多写入不到70TB，1TB的则能坚持550TB，相当于两天多点一次全盘写入。
