晶体管开关速度(关乎性能)也在继续稳步提升，漏电率则在继续稳步下降，而且能适用于从服务器到桌面到笔记本再到移动计算各类设备。
至少按照Intel宣称的，每代工艺都在几乎线性地稳定提高性能、降低功耗，而最大的受益点是能效(能耗比)，每一代都能提高大约60％，而且无论服务器、桌面、笔记本都是如此。
14nm更牛逼，能耗比是22nm的两倍甚至更多，超越了以往，而这正是之前所说各项指标进步的结果。Intel声称，14nm的各项数据都超出了预期正常水平。
下边开始对比其他厂商了，主要指标是逻辑面积，也就是栅极间距、金属间距的乘积。Intel宣称，该面积每一代都能缩小到上一代的大约53％。
历史上，其他厂商在这一点上做得比Intel更好一些，但是量产速度一直落后与Intel。
而到了16/14nm环节上，其他厂商忙于开发FinFET，没有功夫继续缩小逻辑面积，Intel趁机凭借第二代实现反超，而且投产时间继续领先。
Intel工艺晶体管密度、单位面积成本、单位晶体管成本的历史进步趋势，14nm在晶体管密度上尤为突出，超越了以往的固定节奏。
最后看看实际成果：Broadwell-Y处理器的内核面积、基板面积都比Haswell U-Y系列小得多，尤其是基板封装面积小了足足64％。可惜，同时整合的芯片组没有更新工艺，显得更庞大了。
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