自主芯片的研发，已经上升到国家的高度，在这个领域寻求更大的突破和发展，是国内科研人员目前集体努力的方向。
在昨天举行的“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”活动上，集成电路专项技术总师叶甜春对外表示，国产14nm工艺已经攻克难关，将在明年投入量产。
叶甜春强调，通过2万科技工作者9年的艰苦攻关，终于研制成功14nm刻蚀机、薄膜沉积等30多种高端装备和靶材、抛光液等上百种材料产品，性能达到国际先进水平，通过了大生产线的严格考核，开始批量应用并出口到海外，实现了从无到有的突破，填补了产业链空白。同时，制造工艺与封装集成由弱渐强，技术水平飞速跨越，国际竞争力大幅提升。
此外，叶甜春还给出了接下来国产芯片的发展规划，“十三五”将重点支持7-5nm工艺和三维存储器等国际先进技术的研发。
之前产业链给出的消息称，中芯国际已经开始启动7nm工艺制程研发，并与北方华创、中微建立了长期合作关系。目前，三星、TSMC及Intel已经完成了7nm工艺研发，准备在2018年后量产。
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