移动设备方面，Intel将引入SIMD（单指令流多数据流）技术。在CPU或GPU中集成SIMD加速模块后，将大大提升移动设备的多媒体处理能力。Intel此次宣布的四路SIMD矢量加速单元工作电压仅300mV，能效达到494GOPS/W。
处理器方面，Intel将公布四篇有关企业级处理器的论文，分别讨论：
代号Nehalem-EX的8核心至强处理器，集成惊人的23亿个晶体管，8核16线程，9M（9金属层）45nm工艺制造，I/O带宽6.4GT/s。
代号Nehalem的45nm IA处理器，改进版Core微架构，最高8核心，45nm High-K工艺。
代号Tukwila，支持动态频率调节的四核Itanium安腾处理器，晶体管数量超过20亿，核心面积700平方毫米。
代号Dunnington的6核心至强处理器，晶体管数量19亿，采用9M 45nm CMOS工艺制造，集成9MB二级缓存，16MB三级缓存。8路系统的TPCC性能指标达到100万。
